IT大王4月2日消息 据韩媒消息，集成ic生产商 SK 海力士新创建加工厂的整体规划今天获得韩国国会准许，该加工厂投资总额将做到 1060 亿美金，地址坐落于韩国首尔南边约 50 千米的部位。
消息表明，SK 海力士此加工厂占地面积额将做到 415 万平方，方案关键生产制造 DRAM 集成ic，定为 2021 年第四季度动工，2025 年投入运营。这一大中型加工厂将包括四个圆晶制造厂，每个月生产量为 80 万片。
IT大王先前报导，SK 海力士前不久表明，将在未来 10 年之内开发设计 10nm 下列制造加工工艺的 DRAM 集成ic，及其 600 层层叠的 NAND 闪存芯片。目前为止，该企业早已取得成功产品研发出 176 层层叠的 三维 NAND。新技术应用将引进新的电解介质原材料来维持匀称正电荷，进而维持稳定性，降低走电。
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