赛微电子拟投资 10 亿人民币基本建设 6-8 英寸硅基氮化镓功率器件

4 月 3 日信息，近日北京市赛微电子技术股权有限责任公司公布了有关与青州市市人民政府签定《合作协议》的公示。公示中表明赛微电子技术拟在青州市开发区进行项目投资 10 亿人民币分期付款基本建设聚能国际性 6-8 英寸硅基氮化镓输出功率器件半导体设备新项目，总占地 30 亩，一期投入运营后将产生 6-8 英寸 GaN 集成ic圆晶 5000 片 / 月的生产量，二期投入运营后将产生 6-8 英寸 GaN 集成ic圆晶 12000 片 / 月的生产量，将为全世界 GaN 商品顾客的充沛要求出示完善的服务支持和生产能力确保。

据统计，GaN（氮化镓）归属于第三代半导体材料，第三代半导体材料关键包含碳碳复合材料（SiC）、氮化镓（GaN）、金钢石等，因其带隙（Eg）大于或等于 2.3 电子伏特（eV），又被变成宽禁带半导体材料，与第一、二代对比，第三代半导体材料具备高导热系数、高击穿场强、高饱和状态电子器件速度等优势，能够 达到当代电子信息技术对高溫、大功率、髙压、高频率及其防辐射等极端标准的新规定。

企业已于 2018 年 7 月在青岛青岛市北区项目投资开设 “青岛市聚能创芯微电子技术有限责任公司”，关键从业输出功率与微波加热器件，尤其是氮化镓（GaN）输出功率与微波加热器件的设计方案、开发设计；已于 2018 年 6 月在青岛即墨区项目投资开设 “聚能晶源（青岛市）半导体材料有限责任公司”，关键从业半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延性原材料的设计方案、开发设计、生产制造，该企业项目投资基本建设的第三代半导体材料生产制造新项目（一期）已于 2019 年 9 月做到建成投产标准，宣布建成投产。做为企业 GaN 业务流程一级平台公司，聚能创芯聚集了业内领跑精英团队，有着第三代半导体材料生长发育、加工工艺生产制造、器件设计方案等产业链技术性工作能力及贮备，且目前为止在 6-8 英寸硅基 GaN 外延性圆晶、GaN 输出功率器件及运用层面已产生产品系列并完成大批量市场销售。