三星 3nm 工厂即将动工,首发 GAA 工艺功耗直降 50

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IT大王 3 月 11 日消息，三星电子代工部门最近深陷负面传闻中。先是有消息称涉嫌伪造并虚报 5nm、4nm 和 3nm 工艺良率，让高通等 VIP 客户不得不另投台积电，近日又被黑客窃走 200GB 数据。

不过从技术上来看，三星依然是唯一一家能够紧跟台积电的晶圆代工厂，而且三星在接下来的 3nm 节点上将更加激进，并想要在全球首次推出 GAA 晶体管工艺，放弃 FinFET 晶体管工艺（台积电 3nm 工艺仍将基于 FinFET 工艺）。

三星正计划在 2022 年上半年完成其 3nm GAA 工艺的质量评估。据韩国媒体报道，三星已经准备好在韩国平泽市的 P3 工厂开工建设 3nm 晶圆厂，计划于 6、7 月份动工，并及时导入设备。

根据三星的说法，与 7nm 制造工艺相比，3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 45% 以上，功耗降低了 50%，性能提高了约 35%，纸面参数上来说确实要优于台积电 3nm FinFET 工艺。

三星代工是三星的代工芯片制造业务部门，此前有消息称其目前正在与客户一起进行产品设计和批量生产的质量测试。该业务部门的目标是击败竞争对手台积电，在 3nm GAA 领域获得“世界第一”的称号。然而三星能否在 3nm 的性能和产能上满足客户的要求还有待观察。

韩国远大证券的数据显示，截至 2020 年，三星 Foundry 拥有的专利仅为 7000- 10000 项，而其竞争对手台积电已获得约 3.5 万至 3.7 万项专利。因此，业界认为三星认为缺乏 3nm 相关专利，这可能是个问题。

IT大王了解到，三星旗下 Galaxy 设备被黑客攻破，近 200GB 数据信息泄露，涉及合作伙伴高通机密数据，数亿名 Galaxy 设备用户正在面临着新的潜在安全风险，引起业界关注。

除此之外，韩国媒体此前还报道称，三星高管可能在试产阶段捏造了其 5nm 以下工艺的芯片良率，以抬高三星代工业务的竞争力。随后，三星启动了对原本计划扩大产能和保证良率的资金下落的调查，进一步了解半导体代工厂产量和良率情况。

据三星内部官员透露，“由于晶圆代工厂交付的数量难以满足代工订单需求，公司对非内存工艺的良率表示怀疑，事实上基于该良率是可以满足订单交付的。”另有业内人士透露，在三星为高通生产的骁龙 4nm 制程芯片中，良品率仅为 35%，并且三星自研的 4nm 制程 SoC 猎户座 2200 的良率更低。

《破防了：良率低到三星自己都纳闷，连夜彻查晶圆代工业务资金流向》

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