豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机

本篇文章给各位网友带来的资讯是:豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机锂电池电路保护设计 详情请欣赏下文感谢IT大王网友 OC_Formula 的线索投递!

IT大王 6 月 28 日消息,MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关,近日,豪威集团全新推出两款 MOSFET:业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008

豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机

据官方介绍,双 N 沟道增强型 MOSFET,WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻,RSS (ON) 低至 1mΩ,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A 采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的 RSS (ON) 的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高,可实现更高的效率和更低的温升

豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机

IT大王了解到,WNM6008——80V 高功率 MOSFET,采用最新一代 Shield Gate 技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低 FOM 值(开关应用重要优值系数)。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。

豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机

豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机

© 版权声明
好牛新坐标
版权声明:
1、IT大王遵守相关法律法规,由于本站资源全部来源于网络程序/投稿,故资源量太大无法一一准确核实资源侵权的真实性;
2、出于传递信息之目的,故IT大王可能会误刊发损害或影响您的合法权益,请您积极与我们联系处理(所有内容不代表本站观点与立场);
3、因时间、精力有限,我们无法一一核实每一条消息的真实性,但我们会在发布之前尽最大努力来核实这些信息;
4、无论出于何种目的要求本站删除内容,您均需要提供根据国家版权局发布的示范格式
《要求删除或断开链接侵权网络内容的通知》:https://itdw.cn/ziliao/sfgs.pdf,
国家知识产权局《要求删除或断开链接侵权网络内容的通知》填写说明: http://www.ncac.gov.cn/chinacopyright/contents/12227/342400.shtml
未按照国家知识产权局格式通知一律不予处理;请按照此通知格式填写发至本站的邮箱 wl6@163.com

相关文章