ASML 将于2020年推出透光率超 90% 的 EUV 防护膜,提高光刻机效率

IT大王 5 月 15 日消息 现阶段前沿的手机上、电脑芯片多应用 EUV 极紫外线开展离子注入,可是这类光源无法被反射面和映射,生产制造全过程中耗损率十分大。依据外国媒体 TheElec 消息,ASML 将于2020年逐渐为光刻技术给予新式 EUV 防护膜,透光度可以达到 90.6%,现阶段即将开始生产制造。

ASML 将于2020年推出透光率超 90% 的 EUV 防护膜,提高光刻机效率

外国媒体表明,此类防护膜关键用以安裝在 EUV 激光光路和晶圆制造室内空间中间,用以防污。先前的防护膜透光度仅有 78%,殊不知一片的价钱达到 26000 美金(约 16.74 万余元RMB)。三星和tsmc现阶段为了更好地生产率,沒有应用这类防护膜,虽然这会提升 圆晶表层被环境污染的风险性。这俩家代工企业先前表明,她们必须透光度超出 90% 的防护膜,才会考虑到运用到生产流水线。

IT大王掌握到,ASML 公布这款 EUV 防护膜可以承担 400W 的输出功率,将由日本生产商三井化学生产制造。

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