IT大王 5 月 17 日消息 tsmc今日协同套液压、麻省理工公布，在 1nm 下列集成ic层面获得重大突破，科研成果已发布于 Nature。
该研究发现，运用半金属铋 Bi 做为二维材料的触碰电级，能够 大幅度减少电阻器并提升电流量，完成贴近量子科技極限的能耗等级，有希望挑戰 1nm 下列制造的集成ic。
据了解，该发觉是由麻省理工精英团队最先发觉的，接着tsmc将“易堆积制造”开展提升，而套液压电机系暨光电所专家教授吴志毅精英团队则根据氦电子束影视系统软件”将元器件安全通道取得成功变小至纳米技术规格。
IT大王先前报导，IBM 在 5 月初先发了 2nm 加工工艺集成ic，与当今流行的 7nm 集成ic对比，IBM 2nm 集成ic的特性预估提高 45%，耗能减少 75%。
但是业内人员表明，因为 IBM 沒有优秀逻辑性制造集成ic的芯片加工，因而其 2nm 加工工艺没法迅速落地式，“弯道超越”也较为艰难。
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