三星宣布 3nm 芯片成功流片:采用 GAA 架构,性能优于

这篇文章内容给诸位网民产生的新闻资讯是：三星公布 3nm 集成ic取得成功流片：采用 GAA 架构，性能好于tsmc 敬请赏析下面

6 月 29 日夜间信息，据外媒报道，三星公布，3nm 制程技术性早已宣布流片。据了解，三星的 3nm 制程采用的是 GAA 架构，性能好于tsmc的 3nm FinFET 架构。

报导称，三星在 3nm 制程的流片进展是与新思科技协作进行的，目地取决于加快为 GAA 架构的生产工艺流程给予高宽比提升的参照方式。由于三星的 3nm 制程采用有别于tsmc或intel所采用的 FinFET 的架构，只是采用 GAA 的构造。因而，三星采用了新思科技的 Fusion Design Platform。

在技术性性能上，GAA 架构的晶体三极管可以给予比 FinFET 更强的静电感应特点，可达到一些栅压总宽的要求。而这具体表现在同样规格构造下，GAA 的断面控制力得到加强，借此机会给与规格进一步缩微给予了概率。

本次流片是由 Synopsys 和三星代工企业协作进行的。先前，三星曾在 2020 年进行 3nm 加工工艺的开发设计，但开发设计取得成功并不代表着，三星的商品最后进到批量生产的時间能够明确。随着着本次取得成功流片，三星 3nm 集成ic规模性批量生产的时间范围早已宣布邻近。