微星展示英特尔 12 代酷睿 CPU 开盖照:钎焊导热,核心

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IT大王 10 月 29 日消息,据外媒 wccftech 消息,微星今日在直播中分享了大量英特尔 12 代酷睿处理器的细节,首次曝光了处理器开盖照片,此外还公布了 LGA1700 插槽的散热器扣具适配情况、DDR5 内存的发热实测等。

12 代酷睿处理器采用了全新的 LGA1700 封装,CPU 基板由正方形变为长方形。从开盖对比图可以看出,12 代 CPU 的核心面积有 C0、H0 两个版本,大小均比 11 代明显缩小。其中,C0 核心面积为 215.25mm2,H0 核心面积为 162.75mm2。前者适用于 i9 系列处理器,拥有 8 大核 + 8 小核,后者用于入门级别的处理器,仅包含 6 颗大核。

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核心面积大幅缩小的原因是,英特尔在 12 代桌面处理器中转向了 10nm 制程的 Intel 7 工艺,相比此前祖传的 14nm 制程工艺明显提高了晶体管密度。

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CPU 核心面积的缩小,也带来了发热的集中。微星的测试结构表明,两款处理器核心温度最高点并不相同,一个位于偏上方,较小的核心发热点偏左。不过由于芯片和保护盖采用钎焊工艺紧贴在一起,热量可以很快导出。

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微星同时制作了示意图,表示 CPU 散热器的热管排列方式,也会对散热效果产生影响。用户最好选择热管方向与 CPU 核心排列同向的散热器,并且尽量采用热管排列较为紧密的型号,以获得更高的导热效率。

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IT大王了解到,微星还表示,旗下多款 MPG、MAG 系列一体水冷散热器均已经适配 LGA1700 接口的处理器,提供加长版扣具。需要注意的是,LGA1700 处理器安装后的高度也与 LGA1200 不同。

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不仅如此,微星还展示了 DDR5 内存的红外热成像图。这一代内存最重要的特点便是在 PCB 中央配备 PMIC 电源管理电路,为内存提供精准稳定的直流电,此外还支持调节电压。

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热成像图中可以看到,DDR5 内存运行时,PMIC 电路的发热十分可观电源芯片和两颗电感的温度比 DRAM 颗粒还要高一些。因此,大多数 DDR5 内存需要自带散热片。不过微星演示用的内存条已经加压至 1.35V,如果用户在默认的 1.1V 电压使用,那么温度问题不需要担心。

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微星还提示,由于内存供电直接从主板 + 5V 电源获取,因此电脑电源 5V 供电的质量将直接影响到内存的稳定性以及超频上限。微星实测数据还显示,尽管自家的电源 12V 供电波动剧烈,但是其 5V 输出依旧保持稳定,这确保了内存的稳定性。

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据IT大王了解,微星在直播中还对 DDR5 内存的价格发表了看法。目前,相同容量的 DDR5 内存要比 DDR4 贵 30%-50%,随着芯片短缺的延续,其价格还可能进一步上涨。不过预计到 2023 年年中,DDR5 内存的价格有望降到目前 DDR4 的水平

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