IT老大 2 月 25 日信息 据清华官方网站信息，2 月 25 日，清华工程项目数学系专家教授唐传祥课题组与来源于亥姆霍兹纽约原材料与电力能源研究所（HZB）及其美国联邦物理学技术性研究所（PTB）的协作精英团队在《自然》（Nature）上发布了名为 “恒定微聚束原理的试验演试”（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）的科学研究毕业论文，汇报了一种新式粒子加速器光源 “恒定微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB）的第一个原理认证试验。
图 1. SSMB 原理认证试验平面图（图片出处：《自然》）
图 2. SSMB 原理认证试验結果（图片出处：《自然》）
根据 SSMB 原理，能得到大功率、高重频、窄网络带宽的相关辐射源，波长可遮盖从太赫兹技术到极紫外线（EUV）股票波段，有希望为光量子科研出示宽阔的机遇与挑战。《自然》批阅人对该科学研究充分肯定，觉得 “展现了一种新的科学方法论”，“终将造成粒子加速器和同步辐射行业的兴趣爱好”。《自然》有关评论性文章写到：“该试验展现了怎样融合目前两大类关键网络加速器光源——同步辐射光源及自由电荷激光器——的特点。SSMB 光源将来有希望运用于 EUV 光刻技术和角辨别光电子能谱学等行业。”
“SSMB 光源的潜在性运用之一是做为将来 EUV 光刻机的光源，它是国际社会高宽比关心清华 SSMB 科学研究的关键缘故。”唐传祥告知新闻记者。
在芯片制造的全产业链中，光刻机是不可或缺的高精密机器设备，是集成电路芯片芯片制造中最繁杂和重要的加工工艺流程。光刻机的曝出屏幕分辨率与波长立即有关，一个半多新世纪至今，光刻机光源的波长持续变小，集成ic工业领域认可的新一代流行光刻工艺是选用波长为 13.5 纳米技术光源的 EUV（极紫外线光源）光刻技术。EUV 光刻机工作中等同于用波长仅有头发直径一万分之一的极紫外线，在圆晶上 “手工雕刻”电源电路，最终将让手指甲尺寸的集成ic包括上百亿元个晶体三极管，这类机器设备加工工艺呈现了人们智能科技的顶尖水准。西班牙 ASML 企业是现阶段全世界唯一的 EUV 光刻机经销商，每台 EUV 光刻机市场价超出 1 亿美金。
IT老大掌握到，功率大的的 EUV 光源是 EUV 光刻机的关键基本。现阶段 ASML 企业选用的是较高能脉冲光负电子液体锡靶，产生等离子技术随后造成波长 13.5 纳米技术的 EUV 光源，输出功率约 250 瓦。而伴随着集成ic加工工艺连接点的持续变小，预估对 EUV 光源输出功率的规定将持续提高，做到KW数量级。
“简单点来说，光刻机必须的 EUV 光，规定是波长短，输出功率大。”唐传祥说。功率大的 EUV 光源的提升针对 EUV 光刻技术进一步的运用和发展趋势尤为重要。唐传祥说：“根据 SSMB 的 EUV 光源有希望完成大的平均功率，并具有向更短波长拓展的发展潜力，为功率大的 EUV 光源的提升出示全新升级的处理构思。”
唐传祥强调，EUV 光刻机的自主研发也有较长的路要走，根据 SSMB 的 EUV 光源有希望处理自主研发光刻机中最关键的 “受制于人”难点。这必须 SSMB EUV 光源的不断科技创新项目，也必须上中下游全产业链的相互配合，才可以得到真实取得成功。
现阶段，清华正全力支持和促进 SSMB EUV 光源在我国方面的项目立项工作中。清华大学 SSMB 课题组已向发改委递交 “恒定微聚束极紫外线光源科学研究设备”的可研性报告，申请 “十四五”我国重特大高新科技基础设施建设。
毕业论文连接：https://doi.org/10.1038/s41586-021-03203-0
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