三星推出全球首款 HKMG 加工工艺 DDR5 运行内存，单条 512GB

IT大王3月25日消息 据外国媒体 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日公布取得成功开发设计了一条容积 512GB 的 DDR5 摸组，应用了 High-K Metal Gate (HKMG) 加工工艺，能够出示超出 DDR4 运行内存一倍的特性主要表现，做到 7200Mb/s。三星表明，最新款运行内存能够用以高性能计算机、人工智能技术计算、数据统计分析等行业，确保特性释放出来。

IT大王掌握到，HKMG 技术性现阶段仅运用于 GDDR6 显卡内存集成ic，可以应用新的金属复合材料做为集成ic中的电缆护套，降低泄露电流，促使耗能减少 13%。三星此项技术性在 DDR5 内存颗粒的运用，进一步建立了该知名品牌的领先水平。

此外，三星还运用了 TSV 硅埋孔技术性，层叠 8 层 16Gb DRAM 集成ic，因而能够完成 DDR5 运行内存 512GB 的较大 容积。

三星电子运行内存单位高级副总裁 Young-Soo Sohn 表明，“三星是现阶段全世界唯一一家可以应用 HKMG 技术性生产制造闪存芯片的半导体材料生产商。这类加工工艺引进 DRAM 生产制造，三星能够为顾客出示性能卓越、高能耗等级的运行内存解决方法，助推医学临床研究、金融业、无人驾驶、新型智慧城市等运用。”

intel还表明，伴随着现阶段全世界信息量的稳步增长，DDR5 运行内存正处在云数据中心、数据中心、边缘计算的关键节点。intel的技术工程师精英团队与三星等公司紧密配合，着眼于生产制造髙速、环保节能的 DDR5 运行内存。intel将要公布的编号为 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至强处理器也将兼容 DDR5 运行内存。

IT大王获知，三星已经对其 DDR5 运行内存产品原型的不一样变异开展试验，并推送试品给顾客开展检测。