SK 海力士：未来十年将产品研发 10nm 下列 DRAM 和 600 层 NAND

3 月 25 信息，据海外新闻媒体，SK 海力士是全世界关键的数据存储器生产商，她们在上年 10 月份同intel达到了协议书，将以 90 亿美金收购intel绝大多数的 NAND 闪存芯片及储存业务流程，收购以后就将超出日本的 Kioxia，变成仅次三星的全世界第二大 NAND 闪存芯片生产商，并会变小与三星的差别。

除开根据收购扩张经营规模、得到 专利权及研发人员，SK 海力士也在致力于产品研发更优秀的 DRAM 和 NAND 商品。

韩国媒体的报导表明，在 2021 年 IEEE（电气设备电子工程师学好）国际性稳定性物理学讨论会上发布上台演讲时，SK 海力士 CEO 李锡熙（Lee Seok-Hee）就表明，在未来十年，她们将致力于摆脱原材料、构造和稳定性层面的挑戰，开发设计 10nm 下列加工工艺的 DRAM 和 600 层叠层的 NAND。

在报导中，韩国媒体表明，产品研发 10nm 下列加工工艺的 DRAM，规定 SK 海力士等半导体材料生产商，摆脱光刻工艺层面的挑戰。

在 NAND 层面，SK 海力士早已产品研发出了 176 层层叠的 三维 NAND。