IT大王 4 月 21 日消息 国星光电今日公布，她们协同华南理工大学协同创建的广东半导体材料微表明公司重点实验室的全新科研成果发布在国际性知名刊物《ACS Nano》。
据了解，该成效最后取得成功提升了量子点技术 LED 元器件的发亮高效率短板，更新了类似元器件最大发亮高效率领域记录，有希望加速该新技术应用的商业化的过程，并推进国星光电在 Mini/Micro LED 显示器件行业的技术性优点影响力。
IT大王掌握到，量子点技术色变换技术性是 Mini/Micro LED、OLED 及其 LCD 宽色彩饱和度表明的关联性核心技术，在高清表明、虚似表明等新起行业具有运用发展潜力。
据悉，现阶段常见的硒化镉、钙钛矿等量子点技术的光致发光高效率已超出 85%，高过传统式希土夜光粉原材料，殊不知封裝做成 LED 元器件的发亮高效率广泛在 50-130 lm/W（基础理论高效率＞200 lm/W），这一分歧已困惑学术界与领域很多年。
因而， 国星光电明确提出直方埋孔复合型量子点技术色变换构造以及加强出光体制，运用湿式机械搅拌把量子点技术高效率拼装于粒度配对的直方埋孔构造，埋孔构造被低折光率有机硅树脂添充，所产生折光率差别能抑制莹光光量子在埋孔內部有机硅树脂板材的散播，明显降低分解代谢耗损。
归功于此，她们最后取得成功提升了量子点技术 LED 元器件的发亮高效率短板，得到超出 200 lm/W 的类似元器件最大发亮高效率领域记录（经 CNAS 验证第三方机构检测）。
▲彩色图库：国星光电
▲论文封面、基本原理及其高效率比照
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