三星 3nm GAA 工艺良率仍远低于客户要求,试产良率仅

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据 DIGITIMES 报道，三星电子的 3nm GAA 工艺良率仍远远落后于其目标。根据一份报道，三星正在努力提高其 3nm GAA 工艺良率，该工艺良率刚刚达到 10% 至 20% 之间。三星 4nm 工艺制造的良率也不尽如人意，仅为 30%-35%。

报道称，三星计划在 2023 年引入第二代 3 纳米工艺（3GAP），届时或将开始积极为代工客户服务。

市场消息人士认为，三星第一代 3nm GAA 工艺将首先用于三星自研芯片的制造，该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称，三星的第二代 3nm 工艺将为外部客户的芯片设计做好准备，预计明年开始量产。

该消息人士指出，台积电在转向 GAA 晶体管技术时是否会面临良率问题还有待观察。台积电极有可能拥有基于 GAA 的 2nm，目标是在 2025 年投产。

据称，三星电子规划今年实现 3 纳米制程芯片量产，不过业内传言当前工艺（3GAE）的试产良率不尽如人意，仅达到约两成，低良率带来的高成本，使三星在 3 纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。