IBM 研制出全世界首款 2nm 集成ic：指甲尺寸容纳 500 亿次晶体管，智能化手机电池可四天一充

IT大王 5 月 7 日消息 IBM 公布已取得成功研发出全世界第一款选用 2 纳米技术 (nm) 规格型号纳米技术片技术性的集成ic，这意味着 IBM 在半导体材料设计方案和加工工艺层面完成了重大成果。一直以来，半导体材料在诸多行业内都饰演尤为重要的人物角色，比如：电子计算机、电器产品、通讯设备、运输设备、重要基础设施建设这些。

IBM 产品研发的新式 2 纳米技术半导体技术可促进半导体业的发展趋势，达到持续提高的要求。与现阶段优秀的 7 纳米技术连接点集成ic对比，此项技术性预估可使集成ic的特性提高 45%，耗能减少 75%。

IT大王获知，IBM 详细介绍了这个优秀的 2 纳米技术集成ic的应用前景，包含：

• 使手机续航时间升至以前四倍，只需每四天为机器设备充一次电就可以（对比以前的 7nm 集成ic）。

• 大幅度降低大数据中心的二氧化碳排放，现阶段，大数据中心的电力能源需求量占全世界电力能源需求量的百分之一。将大数据中心的全部网络服务器拆换为 2 纳米技术CPU很有可能会明显减少该占比。

• 巨大地提高笔记本的作用，可加速应用软件响应速度，提升文字翻译功能，加速互联网技术网站打开速度。

• 加速无人驾驶车辆（比如：自动驾驶车辆）的物件检验速率，减少反应速度。

IBM 在坐落于美国纽约州奥尔巴尼市 Albany Nanotech Complex 的科学研究试验室进行半导体材料产品研发工作中，在这儿，IBM 生物学家与来源于公共性和利益相关者的合作方紧密配合，一同促进逻辑性拓展和半导体材料作用往前发展趋势。

IBM 官方网表明，很多年来，IBM 在半导体材料行业内完成了数次重大成果，包含首先发布 7 纳米技术和 5 纳米技术生产工艺、多管 DRAM（single cell DRAM），Dennard 平均误差律（the Dennard Scaling Laws），有机化学变大光刻技术（chemically amplified photoresists）、铜互联走线（copper interconnect wiring）、绝缘层单晶硅片技术性（Silicon on Insulator technolog）、多核微控制器（multi core microprocessors）、高 k 栅电解介质（High-k gate dielectrics）、内嵌式 DRAM（embedded DRAM）和 三维 集成ic层叠（三维 chip stacking）。

IBM 称 IBM 研究所的 7 纳米材料第一款商业化的商品将于2020年晚些时候在根据 IBM POWER10 的 IBM Power Systems 中初次现身。

一个手指甲尺寸的集成ic，可容下 500 亿次晶体三极管

提升每一个集成ic上的晶体三极管总数能够让集成ic越来越更小、更快、更靠谱、更高效率。2 纳米技术设计方案展现了运用 IBM 产品研发的纳米技术片技术性对半导体材料开展高級拓展的工作能力。这类构架为业内创新。在公布 5 纳米技术设计方案产品研发取得成功以后，IBM 仅用了不上四年時间就再度完成技术性提升。此项开创性技术性面世后，一个手指甲尺寸的 2 纳米技术集成ic就能容下高达 500 亿次晶体三极管。

集成ic上的晶体三极管总数提升还代表着CPU设计方案工作人员有着大量挑选，能够根据为CPU引入核心级自主创新来提高人工智能技术、云计算技术等最前沿工作中负荷的作用，寻找完成硬件配置强制性安全系数和数据加密的有效途径。IBM 早已在全新一代的 IBM 硬件配置（比如：IBM POWER10 和 IBM z15）中完成了别的技术创新关键级提高作用。