东芝开发设计碳化硅功率模块新封装技术性，提升 可靠性并减小规格

5 月 12 日信息，东芝电子元器件及储存设备株式（东芝）开发设计了用以碳化硅（SiC）功率模块的封装技术性，可以使商品的可靠性提高一倍，另外降低 20% 的封装规格。

与硅对比，碳化硅能够完成高些的工作电压和更低的耗损，且被普遍视作电力电子器件的新一代原材料。尽管现阶段关键运用于列车的逆变电源上，可是迅速将被普遍用以太阳能发电系统软件和汽车设备等髙压运用。

根据银烧结技术性改进提升 可靠性

可靠性是碳化硅元器件应用受到限制的关键难题。在髙压功率模块中的运用不但是集成电路芯片，封装自身也务必具有高宽比的可靠性。东芝根据一种全新升级的银（Ag）烧结技术性开展集成ic电焊焊接，来完成合理提升 封装可靠性的总体目标。

在当今的碳化硅封装中，功率提升 及其电源开关頻率都是会造成电焊焊接特性劣变，难以抑止集成ic中伴随着時间的变化而提升的通断电阻器。银烧结技术性能够明显减少这类衰退。而银烧结层的热电偶仅为电焊焊接层的一半，进而使控制模块中的集成ic能够更为密切地挨近，进而变小了规格。

碳化硅功率模块的新封装（iXPLV）

东芝将此新技术应用取名为 iXPLV，并从本月底起其将运用于 3.5kV 级碳化硅功率模块的大批量生产。