中科院上海光机所计算光刻技术研究取得进展

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IT老大 6 月 10 日信息 据中科院网址，近日，中科院上海市电子光学精密的机器设备研究室信息内容电子光学与光电科技试验室明确提出一种根据虚似边（Virtual Edge）与双采样频率像素化掩模图型（Mask pixelation with two-phase sampling）的迅速电子光学邻近效应修正技术性（Optical proximity correction, OPC），模拟仿真结果显示该技术性具备较高的修正高效率。

据了解，OPC 技术性根据调节掩模图型的透过率遍布修正电子光学邻近效应，进而提升成像品质。根据实体模型的 OPC 技术性是完成 90nm 及下列技术性连接点集成电路芯片生产制造的重要测算光刻工艺之一。

上海光机所科技人员明确提出的这类根据虚似边与双采样频率像素化掩模图型的迅速电子光学邻近效应修正技术性，可以将不一样种类的成像失帧归纳为二种种类的成像出现异常，即内缩出现异常与外伸出现异常。运用不一样的成像异常检测模版，先后在掩模图型的边沿和转角等轮廊偏位分辨部位开展部分成像异常检测，明确出现异常种类及出现异常地区的范畴。依据异常检测部位与出现异常地区范畴，响应式造成虚似边。根据挪动虚似边调节掩模的部分透过率遍布，进而修正部分成像出现异常。依靠修正对策和修正管束，完成高效率的部分修正和全局性轮廊高保真操纵。此外，双采样频率像素化掩模灵活运用了成像系统软件的透射受到限制特性，在粗取样网格图上开展成像测算与异常检测，在精取样网格图上开展掩模修正，兼具了成像测算高效率与掩模修正屏幕分辨率。运用多种多样掩模图型开展认证，模拟仿真结果显示该 OPC 技术性的修正高效率好于常见的根据启发式算法的 OPC 技术性。

IT老大掌握到，有关科研成果发布在 Optics Express 上。

▲根据虚似边的成像出现异常修正，（a）外伸出现异常修正，（b）内缩出现异常修正 | 彩色图库：中科院网址